使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅工业变频器！-倾佳电子（Changer Tech）专业分销

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT工业变频器，实现更高的通用变频器高功率密度，通用变频器高温环境应用！通用变频器低电机噪声控制！取得通用变频器能耗与性能的最优权衡！

 

随着铜价暴涨高烧不退，如何降低电感等磁性元件成本将成为电力电子制造商的一大痛点，使用基本公司碳化硅MOSFET单管或者模块替代IGBT单管或模块，可以显著提频降低系统综合成本（电感磁性元件，散热系统，整机重量），电力电子系统的全碳SiC时代，未来已来！倾佳电子（Changer Tech）专业分销基本公司SiC碳化硅MOSFET！

 

倾佳电子（Changer Tech）致力于基本公司国产碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在电力电子市场的推广！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

 

倾佳电子（Changer Tech）致力于基本公司国产碳化硅（SiC）MOSFET在电力电子应用中全面取代IGBT，全力推动基本公司国产碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!

 

基本公司SiC碳化硅MOSFET单管适用于工业变频器应用，比如通用变频器、专用变频器、电梯变频器等。

 

虽然传统IGBT器件在其低损耗，高开关频率，高功率密度特征上持续提升，但是由于自身特点的限制，在部分温度高，安装体积紧凑，电机电磁噪声敏感的工业传动场合，已无法适应高功率密度、高温环境、低电机噪声控制的应用要求，在一定程度上IGBT进入发展瓶颈期。使用基本公司SiC碳化硅MOSFET替代IGBT已经成为行业潮流!

SiC碳化硅MOSFET工业变频器支持开环矢量和闭环矢量两种控制方式，载波频率达到100kHz, 输出频率达到10kHz，采用电机谐波电流控制技术，优化转矩脉动控制，实现更低电机转矩脉动及电机电磁噪声，DPWM /CPWM智能切换动态载波调制，可以取得能耗与性能的最优权衡。功率器件死区时间控制方面，伟创变频器最小死区时间控制在300ns左右，大幅提升输出电压利用率提升10%。

SiC碳化硅MOSFET通用变频器全功率段采用碳化硅单管及碳化硅单管并联方案，以独特软/硬件配合动态控制方法，实现单管之间有效均流，在碳化硅MOSFET功率器件异常情况（过流，短路）下快速保护，通过对变频器中SiC碳化硅MOSFET功率器件驱动参数优化，器件与结构布局优化，解决变频器实际使用过程中（由于SiC碳化硅MOSFET高dv/dt产生的变频器自身及配套使用设计）的电磁干扰问题.

SiC碳化硅MOSFET变频器可以通过提高运行载波，节省输出滤波装置或缩小电机体积等方式，有效改善现有高速电机驱动产品的痛点。随着高速空浮、磁浮电机的应用普及，SiC碳化硅MOSFET变频器凭借技术的优势将迅速占领该类产品应用市场。

 

VVVF变频、矢量控制变频、直接转矩控制变频都是交—直—交变频中的一种。其共同缺点是输入功率因数低，谐波电流大，直流电路需要大的储能电容，再生能量又不能反馈回电网，即不能进行四象限运行。为此，矩阵式交—交变频应运而生。由于矩阵式交—交变频省去了中间直流环节，从而省去了体积大、价格贵的电解电容。它能实现功率因数为1，输入电流为正弦且能四象限运行，系统的功率密度大。

矩阵变频具有较大优势:一方面矩阵变换器没有储能元件,体积可以比同样容量的两级结构变流器小;另一方面矩阵变频不需要电解电容器,也就不需要考虑电解电容寿命问题。

 

采用基本公司SiC碳化硅MOSFET开发高功率密度变频器，除通用变频器一般驱动功能外，同时具备通用变频器高电力品质、能量回生、高功率密度三个特性。

采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩阵变频器为了挑战降低谐波、改善功因及提升功率密度，具有下列关键技术

1. 高频SiC碳化硅MOSFET驱控电路技术，提升矩阵变频器频率由(8kHz-->50kHz)。

2. 改善电力品质，采用DMCSVM换动态载波调制，降低谐波(33%-->7%)，减少电力损失。

3. 改善功率因数(0.75-->0.98)，提升电力线上所有设备的寿命。

4. 采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩阵变频器具有双向能量转换特性，电机煞车时，可将能量直接回馈至电网，节能效果提升20%以上，采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩阵变频器在电梯应用能量回生达65%。

5. 采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩阵变频器小型化功率底座、散热及一体化设计，整机功率密度可达4kW/L，充分响应节能减排。

 

采用基本公司SiC碳化硅MOSFET功率器件的高效、高可靠性变频器，摆脱长期以来依赖于国外器件供应商的产业瓶颈，实现碳化硅MOSFET功率器件的国产化替代贡献自己的行业力量。

 

IGBT芯片技术不断发展，但是从一代芯片到下一代芯片获得的改进幅度越来越小。这表明IGBT每一代新芯片都越来越接近材料本身的物理极限。SiC MOSFET宽禁带半导体提供了实现半导体总功率损耗的显著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低开关损耗，从而提高开关频率。进一步的，可以优化滤波器组件，相应的损耗会下降，从而全面减少系统损耗。通过采用低电感SiC MOSFET功率模块，与同样封装的Si IGBT模块相比，功率损耗可以降低约70%左右，可以将开关频率提5倍（实现显著的滤波器优化），同时保持最高结温低于最大规定值。

 

未来随着设备和工艺能力的推进，更小的元胞尺寸、更低的比导通电阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是SiC碳化硅MOSFET技术的主要发展方向，体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。

为此，BASiC™基本公司研发推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相比上一代产品拥有更低比导通电阻、器件开关损耗，以及更高可靠性等优越性能，可助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源、通信电源、伺服驱动、APF/SVG、热泵驱动、工业变频器、逆变焊机、四象限工业变频器等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。

 

为满足光伏储能领域高电压、大功率的应用需求，BASiC™基本公司基于第二代SiC MOSFET技术平台开发推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高压系列碳化硅MOSFET，产品具有低导通电阻、低导通损耗、低开关损耗、支持更高开关频率运行等特点。

针对新能源汽车的应用需求，BASiC™基本公司研发推出符合AEC-Q101认证和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要应用在车载充电机及汽车空调压缩机驱动中。

B3M040120Z是BASiC™基本公司基于第三代碳化硅MOSFET技术平台开发的最新产品，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相对于上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性方面有更进一步提升。

BMF240R12E2G3是BASiC™基本公司基于PcoreTM2 E2B封装的1200V 5.5mΩ工业级全碳化硅半桥功率模块，产品采用集成的NTC温度传感器、Press-Fit压接技术以及高封装可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。

B2M040120T和B2M080120T是BASiC™基本公司基于第二代碳化硅MOSFET技术开发的顶部散热内绝缘的塑封半桥模块，主要应用于OBC、空调压缩机和工业电源中。

BASiC™基本公司推出可支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350系列，此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的误开通，还可用于驱动MOSFET、IGBT等功率器件。

 

 

为了保持电力电子系统竞争优势，同时也为了使最终用户获得经济效益，一定程度的效率和紧凑性成为每一种电力电子应用功率转换应用的优势所在。随着IGBT技术到达发展瓶颈，加上SiC MOSFET绝对成本持续下降，使用SiC MOSFET替代升级IGBT已经成为各类型电力电子应用的主流趋势。

 

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