品牌:强茂
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【】基本说明
PSMQF020N08NS2 80V N沟道增强型MOSFET具有高速开关和低反向转移电容额定电流为307A。它已通过100% UIS和栅极电阻（Rg）测试，采用DFN5060S8L封装，非常适合电源应用中的DC/DC砖和服务器电源。此外，该产品符合IEC 61249标准和欧盟RoHS .0标准的绿色成型化合物。
【】产品特点
• RDS(ON) < 2.0 m，VGS=10 V，ID=50 A
• RDS(ON) < 3.3 mΩ，VGS=7 V，=25 A
• 高速开关 • 低反向转移电容
• 符合欧盟RoHS 2.0的无铅
• 符合IEC 1249标准的绿色成型化合物
• 批量生产中的100% UIS / Rg测试
【】参数规格
封装 DFN5060S-8L
电压 80 V
电流 307 A
晶体管性 N-Channel